12C與133Cs反應中Ba同位素的Qgg產(chǎn)額依賴

使用47 MeV/u12C離子轟擊133Cs靶,由多核子轉(zhuǎn)移反應產(chǎn)生Ba同位素.使用放射化學方法.從,133Cs和反應產(chǎn)物中分離出產(chǎn)物Ba,再使用高純Ge探測器測量Ba放射性同位素的γ活性,根據(jù)Ba同位素的活度和其他相關數(shù)據(jù).確定Ba同位素的產(chǎn)生截面.通過分析測得的Ba同位素的厚靶平均產(chǎn)生截面,發(fā)現(xiàn)缺中子Ba同位素的獨立截面不遵從規(guī)則的Qgg系統(tǒng)性.該結果可用重離子碰撞中的次級過程加以解釋.

作 者： 楊維凡 趙之正 袁雙貴 丁華杰 盧希庭 YANG Weifan ZHAO Zhizheng YUAN Shuanggui DING Huajie LU Xiting   作者單位： 楊維凡,趙之正,袁雙貴,丁華杰,YANG Weifan,ZHAO Zhizheng,YUAN Shuanggui,DING Huajie(中國科學院近代物理研究所,蘭州,730000)

盧希庭,LU Xiting(北京大學物理學院,北京,100871) 

刊 名： 科技導報  ISTIC PKU 英文刊名： SCIENCE & TECHNOLOGY REVIEW  年，卷(期)： 2008 26(13)  分類號： O615.11  關鍵詞： 133Cs   Ba同位素   缺中子同位素   豐中子同位素  

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