磁控共濺射GaAs/SiO2細小納米顆粒鑲嵌材料的結(jié)構(gòu)和非線性光學性質(zhì)?

應用磁控共濺射技術(shù)和后退火方法制備了GaAs/SiO2納米顆粒鑲嵌薄膜,并分別應用原子力顯微鏡、X射線衍射和盧瑟福背散射實驗來觀測薄膜的形貌、相結(jié)構(gòu)和化學組分.結(jié)果表明GaAs納米顆粒的平均直徑很小(約為1.5～3.2nm),且均勻地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2組分都符合化學計量關(guān)系.應用脈沖激光高斯光束對薄膜的光學非線性進行了Z掃描測試和分析.結(jié)果表明,薄膜的三階光學非線性折射率系數(shù)和非線性吸收系數(shù)都由于量子限制效應而大大地增強,在非共振條件下,它們分別約為4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在準共振的條件下,它們分別約為2×10-11m2/W和-1×10-4m/W.

作 者： 丁瑞欽 王浩 佘衛(wèi)龍 丘志仁 羅莉 W.Y.Cheung S.P.Wong Ding Ruiqin Wang Hao SHE Weilong QIU Zhiren Luo Li W.Y.Cheung S.P.Wong   作者單位： 丁瑞欽,王浩,Ding Ruiqin,Wang Hao(五邑大學薄膜與納米材料研究所,江門,529020)

佘衛(wèi)龍,丘志仁,羅莉,SHE Weilong,QIU Zhiren,Luo Li(中山大學超快速激光光譜國家重點實驗室,廣州,510275)

W.Y.Cheung,S.P.Wong,W.Y.Cheung,S.P.Wong(香港中文大學電子工程系和材料科學與工程研究中心,香港) 

刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(3)  分類號： O482.3  關(guān)鍵詞： 磁控共濺射   GaAs納米顆粒   微觀結(jié)構(gòu)   光學非線性   magnetron co-sputtering   GaAs nanogranula   microstructure   optical nonlinearity  

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