355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI質(zhì)譜研究

在355 nm的激光作用下,利用擴(kuò)散分子束技術(shù)和四極質(zhì)譜裝置相結(jié)合研究了氣相Si(CH3)4分子多光子電離(MPI)質(zhì)譜分布.測(cè)量了Si(CH3)+4,Si(CH3)+3,Si(CH3)+2,Si(CH3)+及Si+離子的激光光強(qiáng)指數(shù),檢測(cè)了這5種碎片離子的信號(hào)強(qiáng)度占總信號(hào)強(qiáng)度的分支比隨光強(qiáng)的變化關(guān)系.據(jù)此,討論了該分子MPI過(guò)程可能經(jīng)歷的通道,得到了Si+主要來(lái)自于母體分子的多光子解離-硅原子的電離,Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要來(lái)自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3)的自電離,Si(CH3)+4來(lái)自于母體分子的(3+1)電離的結(jié)論.

作 者： 劉玉芳 施德恒 孫金鋒   作者單位： 劉玉芳,孫金鋒(河南師范大學(xué)物理系,河南新鄉(xiāng),453002)

施德恒(河南師范大學(xué)物理系,河南新鄉(xiāng),453002;空軍第一航空學(xué)院基礎(chǔ)部,河南信陽(yáng),464000) 

刊 名： 中國(guó)激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS  年，卷(期)： 2002 29(3)  分類號(hào)： O657.63  關(guān)鍵詞： 四甲基硅   多光子解離電離   多光子電離解離   反應(yīng)動(dòng)力學(xué)   質(zhì)譜  

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